Современная электроника приближается к фундаментальным пределам по энергопотреблению и быстродействию. Выход - в переходе от управления зарядом электрона к управлению его спином. Лекция посвящена двум прорывным направлениям спинтроники: памяти на беговых дорожках (англ. racetrack memory) на основе магнитных нанопроволок и SOT-MRAM на основе многослойных структур и двумерных материалов.
Вы узнаете:
- почему традиционная память (SRAM, DRAM) становится энергетически невыгодной;
- как эффект туннельного магнитосопротивления (TMR) и спин-орбитальный момент (SOT) позволяют создавать энергонезависимые ячейки с рекордно низким потреблением и высокой скоростью записи/считывания;
- как двумерные материалы открывают путь к памяти 2D SOT-MRAM и стохастическим вычислениям. https://dvfuform.bitrix24site.ru/gen_reg/?event=234